01 июня 2016, среда, в 13:30

Место: комн. 356 7 корп.

Докладчик: Суясова М.В.

Тема: "Агрегирование и механизмы самоорганизации фуллеренолов в водных растворах"

Аннотация: Целью работы являлось изучение супрамолекулярных структур фуллеренов M@C₈₂(OH)_X в водных растворах  в условиях изменения концентрации, температуры, рН среды и других факторов. Эндометаллофуллерены, модифицированные присоединением  гидроксильных групп ЭМФ и растворимые в воде (фуллеренолы), демонстрируют сложные формы структурной организации в растворе, что представляет не только фундаментальный интерес, но и важно в перспективе диагностических применений (МРТ). Несмотря на то, что в отличие от исходных молекул (M@C_2n) фуллеренолы M@C_2n(OH)_X при достаточном числе OH-групп (X > 20) хорошо растворимы в воде, их растворы далеки от идеальных молекулярных растворов вследствие тенденций к самоорганизации фуллеренов. В этой связи анализ роли факторов, определяющих молекулярную ассоциацию, таких как концентрация фуллеренолов, солевой фон, pH, температура, электромагнитные поля, а также влияние инкапсулированного атома металла на структуру и формирования кластеров является важной задачей для выяснения механизмов и характера структурирования.

Докладчик: Дубовский И.М.

Тема: Радиационная стойкость водорастворимых производных фуллеренов

Аннотация: Синтезированы эндометаллофуллерены Me@C_2n+ C_2n (где n=30÷50) и их гидроксилированные водорастворимые производные Me@C_2n(OH)_38–40 + C_2n(OH)_38–40 (Me= Tm, Ho, Eu, Sm, Co), фуллеренолы С₆₀(ОН)₃₀ и С₇₀(ОН)₃₀. Определены величины радиационной стойкости фуллеренолов, ЭМФ и ЭМФ-нолов. Обсуждаются причины аномальной радиационной стойкости ЭМФ Gd@C_2n и Sm@C_2n и радиационной стойкости фуллеренолов при реакторном облучении потоком нейтронов 8•10¹³н/см²•сек (кадмиевое отношение ~10).

Аномальная радиационная стойкость ЭМФ Gd и Sm связана с локализацией ионов в углеродной клетке и электронной структурой молекул этих ЭМФ. Присоединение гидроксильных групп к молекуле фуллерена изменяет еерадиационную стойкость вследствие изменения электронной структуры.