Время и место: малый конференц-зал, 7 корп., среда 7 июня 2017, 14.30

Докладчик: Ю.Барсуков (Coddan Technoligies)

Тема: "Квантовохимическое моделирования реакций сухого травления нитрида кремния"

Аннотация: Важнейшим процессом изготовления MOS транзисторов является технология локального окисления LOCOS. 

Для локализации окисления используется временная маска из нитрида кремния, которая удаляется после того как окисление закончено. Для удаления нитридной маски в промышленности используется жидкостное  травление, которое обладает рядом недостатков. Перед микроэлектронной промышленностью стоит  большая задача перейти от жидкостного к сухому травлению нитрида кремния, что оптимизирует и удешевит производственную цепочку.  На основании квантовохимических расчетов мы предложили механизм, при котором травление нитрида  кремния усиливается газом NO. Аналитическая модель скорости травления воспроизводит экспериментальные данные с высокой точностью. Дальнейшие расчеты показали, что газ NO является не самым  оптимальным и может быть заменен на ряд других. Таким образом, квантовохимическое моделирование  позволяет спланировать эксперимент, а главное предложить рецепты с новой химией.